半导体结构及其形成方法_专利查询-品牌网

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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2020-06-09

申请公布

2021-12-10

授权

2024-01-26

预估到期

2040-06-09

专利基础信息

申请号	CN202010526154.X	申请日	2020-06-09
申请公布号	CN113782488A	申请公布日	2021-12-10
授权公布号	CN113782488B	授权公告日	2024-01-26
分类号	H01L21/768;H01L23/528
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2024-01-26

授权

状态信息

授权
2021-12-28

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/768；申请日:20200609
2021-12-10

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：图形化核心材料层，形成位于第一延伸区的核心层；在核心层的侧壁上形成侧墙；对核心材料层进行离子掺杂，适于使第一间隔区的核心材料层的耐刻蚀度大于第一连接区的核心材料层的耐刻蚀度；在第二间隔区上形成填充于相邻侧墙之间的填充层和位于第二连接区的第一凹槽；在进行离子掺杂以及形成核心层、侧墙和填充层后，去除位于第一连接区的核心层，形成位于第二凹槽，第二凹槽和第一凹槽沿第二方向间隔排列；以填充层、侧墙和位于第一间隔区的核心层为掩膜，刻蚀第一凹槽和第二凹槽下方的介质层，形成多个互连沟槽。本发明实施例有利于提高互连沟槽的图形设计自由度和灵活度。

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