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专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2020-07-31
申请公布
2022-02-18
授权
2024-03-19
预估到期
2040-07-31
专利基础信息
申请号
CN202010762860.4
申请日
2020-07-31
申请公布号
CN114068395A
申请公布日
2022-02-18
授权公布号
CN114068395B
授权公告日
2024-03-19
分类号
H01L21/768;H01L29/78;H01L21/336
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
2024-03-19
授权
状态信息
授权
2022-03-08
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/768;申请日:20200731
2022-02-18
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供基底,基底上有栅极结构,栅极结构两侧的基底内有源漏掺杂层,栅极结构露出的基底上有第一介质层,沿栅极结构延伸方向,基底包括多个相邻的器件单元区;在器件单元区交界处的第一介质层顶部形成阻挡层;以阻挡层为掩膜刻蚀部分厚度的第一介质层,在栅极结构两侧的第一介质层中形成露出源漏掺杂层顶部的开口;在开口露出的源漏掺杂层顶部形成底部源漏插塞;在底部源漏插塞顶部形成第二介质层,第二介质层覆盖阻挡层侧壁;在第二介质层内形成电连接底部源漏插塞的顶部源漏插塞,相邻器件单元区中的顶部源漏插塞通过阻挡层相隔离。本发明通过阻挡层提高了顶部源漏插塞与相对应的底部源漏插塞的对准精度。
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