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专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2019-02-28
申请公布
2020-09-04
授权
2023-10-17
预估到期
2039-02-28
专利基础信息
申请号
CN201910153187.1
申请日
2019-02-28
申请公布号
CN111627819A
申请公布日
2020-09-04
授权公布号
CN111627819B
授权公告日
2023-10-17
分类号
H01L21/336;H01L29/49;H01L29/786
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
2023-10-17
授权
状态信息
授权
2020-09-29
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/336;申请日:20190228
2020-09-04
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供衬底;在衬底上形成源掺杂层;在源掺杂层上形成半导体柱;在半导体柱的顶端形成漏掺杂层;形成包围半导体柱的部分侧壁且露出漏掺杂层的栅极结构,栅极结构包括覆盖半导体柱部分侧壁的功函数层和覆盖功函数层的栅极层;在功函数层中靠近漏掺杂层的位置处掺杂能增加半导体结构阈值电压的掺杂离子。本发明实施例在功函数层中掺杂离子,使得漏掺杂层处的电压降低,相应的漏掺杂层处的纵向电场降低,也就是提高了半导体结构的可靠性,且因为只对功函数层中靠近漏掺杂层的位置处进行掺杂,源掺杂层处的开启电压较低,使得半导体结构的驱动电流较高,综上使得半导体结构的电学性能得到优化。
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