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专利状态
NAND闪存器件及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2020-01-06
申请公布
2021-07-06
授权
2023-10-13
预估到期
2040-01-06
专利基础信息
申请号 CN202010009502.6 申请日 2020-01-06
申请公布号 CN113078099A 申请公布日 2021-07-06
授权公布号 CN113078099B 授权公告日 2023-10-13
分类号 H01L21/764;H10B41/35;H01L21/28;H01L29/423
分类 基本电气元件;
申请人名称 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
  • 2023-10-13
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-07-23
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/764;申请日:20200106
  • 2021-07-06
    公布
    状态信息
    公布
摘要
一种NAND闪存器件及其形成方法,方法在形成第一源漏掺杂区之后,刻蚀减薄第一初始间隙壁结构,使第一初始间隙壁结构形成第一间隙壁结构;形成第一间隙壁结构之后,在第一槽中形成底部介质层;形成底部介质层之后,去除第一间隙壁结构,以在底部介层和第一栅极结构之间、以及底部介质层和第二栅极结构之间形成第一开口;在第一开口的内壁和第一开口上、以及底部介质层上形成顶部介质层,第一槽中底部介质层分别和第一栅极结构和第二栅极结构之间具有第一空隙,第一空隙被顶部介质层的材料包裹;形成贯穿顶部介质层和底部介质层的第一导电连接结构,第一导电连接结构与第一源漏掺杂区电学连接。上述的方案,可以提高NAND闪存器件的成品率。