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专利状态
电容器、半导体器件及其制造方法
有效
专利申请进度
申请
2017-11-07
申请公布
2019-05-14
授权
2023-10-24
预估到期
2037-11-07
专利基础信息
申请号 CN201711085225.1 申请日 2017-11-07
申请公布号 CN109755386A 申请公布日 2019-05-14
授权公布号 CN109755386B 授权公告日 2023-10-24
分类号 H10N97/00
分类
申请人名称 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 上海市浦东新区张江路18号
专利法律状态
  • 2023-10-24
    授权
    状态信息
    授权
  • 2019-05-14
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明提供一种电容器、半导体器件及其制造方法,采用具有开口的绝缘介电层替代原来直接平铺在下极板的绝缘介电层,并将上极板形成在所述开口中,进而可以使得上极板的边缘处在所述绝缘介电层的包围和保护当中,同时可以保证上极板和下极板之间的绝缘介电层的品质,改善了上极板边缘的失效点问题,提高了电容器的可靠性及良率。