首页
品牌
排行
问答
专题
特惠
资讯
展会
百科
热门行业
装修建材
家居生活
餐饮食品
母婴教育
电脑办公
服装首饰
汽车工具
家电数码
机械化工
休闲美容
热门行业
教育培训
板材
地板
涂料
家纺
集成吊顶
美缝剂
木门
硅藻泥
管材
指纹锁
橱柜
衣柜
床垫
电热水器
集成灶
暖气片
净水器
酒店
卫浴
装修建材
卫浴洁具
板材
地板
建筑陶瓷
天花板
涂料
瓷砖泥瓦
水电管材
火锅
快餐
生活用品
软装
装饰装潢
灯具
家纺
干洗服务
内衣
男装
女装
幼教
整体卫浴
地板砖
阻燃板
铝材
集成吊顶
美缝剂
硅藻泥
管材
烤鱼
汉堡
叶酸
婴儿用品
婴儿床
指纹锁
品牌首页
品牌资讯
企业信息
商标信息
专利信息
返回上一页
专利状态
电容器、半导体器件及其制造方法
有效
专利申请进度
申请
2017-11-07
申请公布
2019-05-14
授权
2023-10-24
预估到期
2037-11-07
专利基础信息
申请号
CN201711085225.1
申请日
2017-11-07
申请公布号
CN109755386A
申请公布日
2019-05-14
授权公布号
CN109755386B
授权公告日
2023-10-24
分类号
H10N97/00
分类
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区张江路18号
专利法律状态
2023-10-24
授权
状态信息
授权
2019-05-14
公布
状态信息
公布
摘要
本发明提供一种电容器、半导体器件及其制造方法,采用具有开口的绝缘介电层替代原来直接平铺在下极板的绝缘介电层,并将上极板形成在所述开口中,进而可以使得上极板的边缘处在所述绝缘介电层的包围和保护当中,同时可以保证上极板和下极板之间的绝缘介电层的品质,改善了上极板边缘的失效点问题,提高了电容器的可靠性及良率。
更多专利
1
非平面型场效应晶体管的形成方法
2
NAND闪存器件及其形成方法
3
半导体结构及其形成方法
4
半导体器件及其形成方法
5
图形生成方法及掩膜版的制备方法
6
半导体结构及其形成方法
7
半导体结构及其形成方法
8
一种半导体结构及形成方法
9
半导体结构和半导体结构的形成方法
10
半导体结构及其形成方法
11
掩膜版版图、存储单元结构和存储器
12
半导体结构及其形成方法
13
涂布机及涂布方法和掩膜板的形成方法
14
一种电平转换电路
15
半导体结构及其形成方法
16
一种半导体器件的形成方法
17
半导体结构及其形成方法
18
半导体结构的形成方法、晶体管
19
单侧刻蚀偏差测量方法及设备
20
半导体结构及其形成方法
全国服务热线:
在线客服
1211389656
咨询
商务合作
85926368
咨询
媒体合作
921888730
咨询
在线客服
客服微信号
品牌网官方客服微信
打开微信扫一扫
客服微信
商务合作微信
商务合作详谈
打开微信扫一扫
商务合作
回到顶部