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专利状态
自对准双重图形化方法及其形成的半导体结构
有效
专利申请进度
申请
2019-02-03
申请公布
2020-08-11
授权
2024-02-27
预估到期
2039-02-03
专利基础信息
申请号
CN201910108679.9
申请日
2019-02-03
申请公布号
CN111524795A
申请公布日
2020-08-11
授权公布号
CN111524795B
授权公告日
2024-02-27
分类号
H01L21/033;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/67
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区张江路18号
专利法律状态
2024-02-27
授权
状态信息
授权
2020-09-04
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/033;申请日:20190203
2020-08-11
公布
状态信息
公布
摘要
一种自对准双重图形化方法及其形成的半导体结构,其中方法包括:提供基底,所述基底表面具有待刻蚀材料层和位于待刻蚀材料层表面的若干相互分立的牺牲层;在所述牺牲层的侧壁表面形成第一掩膜层;形成所述第一掩膜层之后,在所述第一掩膜层侧壁表面形成第二掩膜层,且所述第二掩膜层和第一掩膜层的材料不同;形成所述第二掩膜层之后,去除所述牺牲层。所述自对准双重图形化方法的可靠性较高。
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