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专利状态
半导体结构的形成方法
有效
专利申请进度
申请
2020-07-17
申请公布
2022-01-18
授权
2024-03-08
预估到期
2040-07-17
专利基础信息
申请号
CN202010691425.7
申请日
2020-07-17
申请公布号
CN113948461A
申请公布日
2022-01-18
授权公布号
CN113948461B
授权公告日
2024-03-08
分类号
H01L21/82;H01L29/06;H01L27/02
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
2024-03-08
授权
状态信息
授权
2022-02-08
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/82;申请日:20200717
2022-01-18
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体结构的形成方法,形成方法包括:在目标层上形成具有第一开口的平坦层;在第一开口的侧壁形成第一侧墙;形成填充第一开口的牺牲层;去除第一侧墙,形成暴露出牺牲层侧壁的间隙;形成贯穿沿第二方向相邻牺牲层之间的部分平坦层的第二开口;第二开口与第一侧壁形成沟槽,且第二开口与第二侧壁上的间隙之间具有间隔;形成位于沟槽的侧壁且填充于间隙的第二侧墙,位于沟槽侧壁的第二侧墙围成第一凹槽;形成第二凹槽,贯穿第一凹槽与位于第二侧壁的第二侧墙之间的平坦层;去除牺牲层,形成第三凹槽;图形化第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽下方的目标层,形成目标图形。本发明实施例有利于提高目标图形的图形精度。
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