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专利状态
半导体结构及其形成方法、存储器
有效
专利申请进度
申请
2020-05-29
申请公布
2021-12-03
授权
2023-10-17
预估到期
2040-05-29
专利基础信息
申请号
CN202010473013.6
申请日
2020-05-29
申请公布号
CN113745402A
申请公布日
2021-12-03
授权公布号
CN113745402B
授权公告日
2023-10-17
分类号
H10N50/01;H10N50/10;H10B61/00
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
2023-10-17
授权
状态信息
授权
2021-12-21
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L43/12;申请日:20200529
2021-12-03
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法、存储器,形成方法包括:对第二金属层露出的绝缘材料层进行刻蚀再沉积工艺,形成绝缘结构,绝缘结构包括绝缘侧部和绝缘层;对第二金属层和绝缘结构露出的第一金属材料层进行刻蚀再沉积工艺,形成第一金属结构,所述第一金属结构包括第一金属侧部和第一金属层;去除高于第二金属层表面的绝缘侧部和第一金属侧部。本发明中绝缘层形成在第一金属层和第二金属层之间,绝缘侧部形成在第一金属侧部和第二金属侧部之间,从而绝缘结构将第一金属结构和第二金属结构电隔离,在去除高于第二金属层表面的绝缘侧部和第一金属侧部后,剩余的绝缘结构仍能够电隔离第一金属结构和第二金属结构,使得半导体结构具有优良的电学性能。
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