• 热门行业
  • 装修建材
  • 家居生活
  • 餐饮食品
  • 母婴教育
  • 电脑办公
  • 服装首饰
  • 汽车工具
  • 家电数码
  • 机械化工
  • 休闲美容
返回上一页
专利状态
半导体结构及半导体结构的形成方法
有效
专利申请进度
申请
2020-02-26
申请公布
2021-08-27
授权
2024-01-26
预估到期
2040-02-26
专利基础信息
申请号 CN202010120908.1 申请日 2020-02-26
申请公布号 CN113314595A 申请公布日 2021-08-27
授权公布号 CN113314595B 授权公告日 2024-01-26
分类号 H01L29/10;H01L23/367;H01L23/538;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/768;H01L21/28;H01L21/336;B82Y40/00
分类 基本电气元件;
申请人名称 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 上海市浦东新区张江路18号
专利法律状态
  • 2024-01-26
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-09-14
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L29/10;申请日:20200226
  • 2021-08-27
    公布
    状态信息
    公布
摘要
一种半导体结构及半导体结构的形成方法,方法包括:提供衬底;在衬底上形成沟道柱,所述沟道柱包括第一区、位于第一区上的第二区以及位于第二区上的第三区,在平行于衬底表面的方向上,所述第一区具有第一尺寸,所述第二区具有第二尺寸,所述第三区具有第三尺寸,所述第三尺寸小于第一尺寸,所述第二尺寸小于第一尺寸且所述第二尺寸小于第三尺寸;在第二区侧壁表面形成栅极结构。所述方法形成的半导体结构性能得到了提升。