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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2020-06-11

申请公布

2021-12-17

授权

2024-03-01

预估到期

2040-06-11

专利基础信息

申请号	CN202010531867.5	申请日	2020-06-11
申请公布号	CN113809007A	申请公布日	2021-12-17
授权公布号	CN113809007B	授权公告日	2024-03-01
分类号	H01L21/8234;H01L27/088
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2024-03-01

授权

状态信息

授权
2022-01-04

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/8234；申请日:20200611
2021-12-17

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有栅极结构，栅极结构的侧壁上形成有侧墙，栅极结构两侧的基底中形成有源漏掺杂层，栅极结构两侧形成有覆盖源漏掺杂层的底部介质层；形成贯穿源漏掺杂层上方的底部介质层的底部源漏插塞、位于底部源漏插塞顶面的源漏盖帽层、位于栅极结构顶面的栅极盖帽层以及位于栅极盖帽层和源漏盖帽层之间且覆盖侧墙顶面的刻蚀阻挡层；在底部介质层上形成覆盖栅极盖帽层、源漏盖帽层以及刻蚀阻挡层的顶部介质层；形成贯穿源漏盖帽层和顶部介质层且与底部源漏插塞相接触的顶部源漏插塞；形成贯穿栅极盖帽层和顶部介质层且与栅极结构相接触的栅极插塞。本发明实施例有利于提升半导体结构的性能。

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