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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2019-08-28

申请公布

2021-03-05

授权

2024-03-22

预估到期

2039-08-28

专利基础信息

申请号	CN201910800076.5	申请日	2019-08-28
申请公布号	CN112447512A	申请公布日	2021-03-05
授权公布号	CN112447512B	授权公告日	2024-03-22
分类号	H01L21/308;H01L29/10
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2024-03-22

授权

状态信息

授权
2021-03-23

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/308；申请日:20190828
2021-03-05

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成多个分立的侧墙，包括掩膜侧墙和伪掩膜侧墙；在基底上形成覆盖侧墙侧壁和顶部的保护层；形成保护层后，在基底上形成掩膜层，掩膜层具有开口，开口露出伪掩膜侧墙顶部的保护层；去除开口露出的伪掩膜侧墙顶部的保护层；以掩膜层和保护层为掩膜，去除伪掩膜侧墙；去除掩膜层和保护层；以掩膜侧墙为掩膜，图形化基底。本发明实施例中保护层能够在去除伪掩膜侧墙的步骤中，对掩膜侧墙起到保护作用，从而有利于防止掩膜侧墙受损，且通过保护层，还有利于减小去除伪掩膜侧墙的工艺受到掩膜侧墙的限制，从而增大去除伪掩膜侧墙的工艺窗口。

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