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专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2018-11-23
申请公布
2020-06-02
授权
2023-10-20
预估到期
2038-11-23
专利基础信息
申请号 CN201811408251.8 申请日 2018-11-23
申请公布号 CN111223779A 申请公布日 2020-06-02
授权公布号 CN111223779B 授权公告日 2023-10-20
分类号 H01L21/336;H01L29/786;H01L29/423
分类 基本电气元件;
申请人名称 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
  • 2023-10-20
    授权
    状态信息
    授权
  • 2020-06-26
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/336;申请日:20181123
  • 2020-06-02
    公布
    状态信息
    公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,基底包括衬底、凸出于衬底的鳍部以及依次位于鳍部上的多个沟道叠层,每一个沟道叠层包括牺牲层和位于牺牲层上的沟道层,与鳍部相邻的沟道叠层为底部沟道叠层;形成横跨沟道叠层的伪栅结构,伪栅结构覆盖沟道叠层的部分顶部和部分侧壁;刻蚀伪栅结构两侧的沟道叠层,在伪栅结构两侧的沟道叠层内形成露出鳍部的凹槽;形成凹槽后,去除底部沟道叠层的牺牲层,在鳍部和底部沟道叠层的沟道层之间形成通道;在凹槽底部形成隔离层,隔离层还填充于通道内;形成隔离层后,在凹槽内形成源漏掺杂层。本发明实施例有利于降低源漏掺杂层和鳍部之间的寄生电容、以及金属栅结构和鳍部之间的漏电流。