半导体结构及其形成方法_专利查询-品牌网

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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2019-04-29

申请公布

2020-10-30

授权

2024-03-22

预估到期

2039-04-29

专利基础信息

申请号	CN201910356549.7	申请日	2019-04-29
申请公布号	CN111863709A	申请公布日	2020-10-30
授权公布号	CN111863709B	授权公告日	2024-03-22
分类号	H01L21/768;H01L23/48
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2024-03-22

授权

状态信息

授权
2020-11-17

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/768；申请日:20190429
2020-10-30

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有底部介质层以及位于底部介质层内的互连线，底部介质层露出互连线的顶部；刻蚀部分厚度的底部介质层，沿互连线的延伸方向，相邻互连线与剩余底部介质层围成凹槽；至少在凹槽中形成刻蚀停止层，刻蚀停止层密封凹槽的顶部；形成顶部介质层，覆盖互连线、刻蚀停止层以及底部介质层；在凹槽两侧的顶部介质层内形成通孔，通孔露出互连线的顶部；形成填充于通孔内的通孔互连结构，通孔互连结构与互连线电连接。本发明实施例在增大形成通孔的工艺窗口、提高通孔互连结构布局设计的自由度的同时，保证半导体结构的可靠性和稳定性。

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