半导体器件及其形成方法_专利查询-品牌网

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专利状态

半导体器件及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2020-05-28

申请公布

2021-12-03

授权

2024-01-26

预估到期

2040-05-28

专利基础信息

申请号	CN202010469265.1	申请日	2020-05-28
申请公布号	CN113745111A	申请公布日	2021-12-03
授权公布号	CN113745111B	授权公告日	2024-01-26
分类号	H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2024-01-26

授权

状态信息

授权
2021-12-21

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/336；申请日:20200528
2021-12-03

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体器件及其形成方法，其形成方法包括：提供衬底，衬底包括第一区，第一区上具有第一源掺杂层，第一源掺杂层内具有第一掺杂离子；在第一源掺杂层内形成若干开口，开口的底部暴露出第一区的衬底的表面；在暴露出的第一区的所述衬底的表面上形成沟道柱，沟道柱包括位于开口内且侧壁被第一源掺杂层覆盖的第二部分和位于第二部分上的第一部分；对沟道柱的第二部分进行离子掺杂形成第二源掺杂层，所述第二源掺杂层内具有第二掺杂离子，第二掺杂离子的离子浓度小于第一掺杂离子的离子浓度，第二掺杂离子的离子类型与所述第一掺杂离子的离子类型相同；本发明的形成方法使得形成的半导体器件的性能得到提高。

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