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专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2020-06-16
申请公布
2021-12-17
授权
2024-03-01
预估到期
2040-06-16
专利基础信息
申请号
CN202010549293.4
申请日
2020-06-16
申请公布号
CN113808947A
申请公布日
2021-12-17
授权公布号
CN113808947B
授权公告日
2024-03-01
分类号
H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
2024-03-01
授权
状态信息
授权
2022-01-04
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/336;申请日:20200616
2021-12-17
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:基底包括衬底、分立于衬底上的鳍部以及位于鳍部上的多个沟道叠层,沟道叠层包括牺牲层和位于牺牲层上的沟道层;在沟道叠层露出的衬底上形成隔离材料层,隔离材料层覆盖鳍部和部分沟道叠层的侧壁;在隔离材料层上形成横跨沟道叠层的伪栅结构。本发明实施例伪栅结构与沟道叠层夹角处堆积的反应副产物较少,较少的反应副产物对刻蚀过程的阻碍较小,使得沟道叠层之间的中间区域的伪栅结构的横向尺寸与靠近沟道叠层的伪栅结构的横向尺寸相差较小,去除伪栅结构和牺牲层,形成栅极结构,被栅极结构包围的沟道层作为沟道,沟道的横向尺寸不会过大,沟道中的导通电流较大,有利于提高半导体结构的电学性能。
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