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专利状态
3D存储器件及其制造方法
有效
专利申请进度
申请
2019-03-29
申请公布
2021-08-06
授权
2023-07-21
预估到期
2039-03-29
专利基础信息
申请号
CN202110493705.1
申请日
2019-03-29
申请公布号
CN113224079A
申请公布日
2021-08-06
授权公布号
CN113224079B
授权公告日
2023-07-21
分类号
H10B43/35;H01L21/768;H01L23/528;H01L23/532;H10B43/27
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-07-21
授权
状态信息
授权
2021-08-24
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/1157;申请日:20190329
2021-08-06
公布
状态信息
公布
摘要
本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件包括:栅叠层结构,包括交替堆叠的多个栅极导体层与多个层间绝缘层;多个沟道柱,贯穿栅叠层结构;以及导电通道,贯穿栅叠层结构,其中,导电通道包括:芯部和导电柱,导电柱位于芯部上方;第一导电层,覆盖芯部的侧壁与底部,并围绕导电柱的侧壁;以及第二导电层,位于芯部与导电部之间并覆盖导电柱的侧壁,其中,第二导电层由单一导电材料形成,并与第一导电层接触。该3D存储器件通过将覆盖导电柱的侧壁的第二导电层设置为由单一导电材料形成的导电层,解决了台阶覆盖性较差的问题。
更多专利
1
存储阵列的缺陷定位方法、装置、设备及可读存储介质
2
3D存储器件及其制造方法
3
具有富氢半导体沟道的三维存储器件
4
半导体器件及用于形成半导体器件的方法
5
三维存储器及其制备方法、及电子设备
6
具有处理器和异构存储器的一体化半导体器件及其形成方法
7
三维存储器结构及其制备方法
8
一种3DNAND存储器件的制造方法
9
晶圆检测方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质
10
检测件与芯片的检测方法
11
用于存储器系统的功率管理
12
具有在三维存储器器件中的突出部分的沟道结构和用于形成其的方法
13
一种晶圆的清洗方法及实现其的装置
14
晶圆处理装置及方法
15
三维存储器的制造方法
16
光刻胶去除装置及方法
17
3D存储器件及其制造方法
18
一种透射电镜的检验方法
19
电路板和电子设备
20
3D存储器件及其制造方法
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