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专利状态
3D存储器件及其制造方法
有效
专利申请进度
申请
2019-03-29
申请公布
2021-08-06
授权
2023-07-21
预估到期
2039-03-29
专利基础信息
申请号 CN202110493705.1 申请日 2019-03-29
申请公布号 CN113224079A 申请公布日 2021-08-06
授权公布号 CN113224079B 授权公告日 2023-07-21
分类号 H10B43/35;H01L21/768;H01L23/528;H01L23/532;H10B43/27
分类 基本电气元件;
申请人名称 长江存储科技有限责任公司
申请人地址 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
  • 2023-07-21
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-08-24
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/1157;申请日:20190329
  • 2021-08-06
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件包括:栅叠层结构,包括交替堆叠的多个栅极导体层与多个层间绝缘层;多个沟道柱,贯穿栅叠层结构;以及导电通道,贯穿栅叠层结构,其中,导电通道包括:芯部和导电柱,导电柱位于芯部上方;第一导电层,覆盖芯部的侧壁与底部,并围绕导电柱的侧壁;以及第二导电层,位于芯部与导电部之间并覆盖导电柱的侧壁,其中,第二导电层由单一导电材料形成,并与第一导电层接触。该3D存储器件通过将覆盖导电柱的侧壁的第二导电层设置为由单一导电材料形成的导电层,解决了台阶覆盖性较差的问题。