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专利状态
3D存储器件及其制造方法
有效
专利申请进度
申请
2019-10-25
申请公布
2020-02-21
授权
2023-08-11
预估到期
2039-10-25
专利基础信息
申请号
CN201911020757.6
申请日
2019-10-25
申请公布号
CN110828470A
申请公布日
2020-02-21
授权公布号
CN110828470B
授权公告日
2023-08-11
分类号
H10B43/35;H10B43/40;H10B43/50;H10B43/27
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
专利法律状态
2023-08-11
授权
状态信息
授权
2020-03-17
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/1157;申请日:20191025
2020-02-21
公布
状态信息
公布
摘要
公开了一种3D存储器件及其制造方法。该方法包括:在衬底中形成公共源区和源接触,所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面,所述公共源区与所述源接触彼此接触且邻近所述衬底的第一表面;在所述衬底的第一表面上形成存储单元阵列,所述存储单元阵列包括栅叠层结构以及贯穿所述栅叠层结构的多个沟道柱;形成导电通道,所述导电通道从所述衬底的第二表面到达所述公共源区,其中,在形成所述导电通道的步骤中,所述源接触作为蚀刻停止层。该3D存储器件的导电通道位于所述衬底的第二表面中,避免了与字线之间可能出现的漏电情况,并且源接触作为蚀刻停止层,降低了导电通道在形成过程中的工艺控制要求。
更多专利
1
一种3DNAND制作方法及存储器
2
三维存储器件及其形成方法
3
3D存储器件及其制造方法
4
闪存颗粒的改进方法、闪存颗粒、存储器和电子设备
5
半导体器件及其制作方法
6
半导体结构及其制备方法
7
测试方法和测试系统
8
半导体结构及其形成方法
9
半导体结构的形成方法
10
三维存储器及其制备方法
11
一种半导体器件的制备方法
12
半导体器件的量测方法
13
半导体结构
14
三维存储器及其制造方法
15
一种晶相结构的判断方法及晶相标定模板
16
存储器器件及其制造方法
17
三维存储器的制造方法
18
3D存储器件及其制造方法
19
具有降低的阈值电压偏移的三维存储器器件编程
20
晶圆翘曲度测量装置及方法
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