沟道孔的制作方法、存储器、其制作方法及存储系统

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专利状态

沟道孔的制作方法、存储器、其制作方法及存储系统

有效

专利申请进度

申请

2021-07-26

申请公布

2021-10-29

授权

2023-07-21

预估到期

2041-07-26

专利基础信息

申请号	CN202110845874.7	申请日	2021-07-26
申请公布号	CN113571527A	申请公布日	2021-10-29
授权公布号	CN113571527B	授权公告日	2023-07-21
分类号	H10B43/35;H10B43/27;H01L23/544
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-07-21

授权

状态信息

授权
2021-11-16

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/1157；申请日:20210726
2021-10-29

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了沟道孔的制作方法、存储器、其制作方法及存储系统。该方法在各第一沟道孔中形成填充柱，填充柱具有远离衬底的第一端部，然后在第一堆叠结构上形成图形化掩膜层，以图形化掩膜层为掩膜刻蚀第一堆叠结构，以使第一端部裸露，并在图形化掩膜层上形成中间绝缘层，第一端部位于中间绝缘层中，中间绝缘层对应于第一端部的位置形成有第一凸起标记，从而在形成第二堆叠结构后，使第二堆叠结构表面对应形成第二凸起标记，由于该第二凸起标记对应预形成的第二沟道通孔的位置，从而通过利用第二凸起标记进行套刻对准，降低了第二沟道通孔形成位置的偏差，进而提高了第二沟道通孔与第一沟道孔之间的对准精度，保证了器件的电学性能。

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