一种相变存储器件及其制造方法、操作方法

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专利状态

一种相变存储器件及其制造方法、操作方法

有效

专利申请进度

申请

2020-08-10

申请公布

2020-11-20

授权

2023-08-08

预估到期

2040-08-10

专利基础信息

申请号	CN202010797732.3	申请日	2020-08-10
申请公布号	CN111969105A	申请公布日	2020-11-20
授权公布号	CN111969105B	授权公告日	2023-08-08
分类号	H10N70/20;H10B63/10;G11C13/00
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-08-08

授权

状态信息

授权
2020-12-08

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L45/00；申请日:20200810
2020-11-20

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种相变存储器件及其制造方法、操作方法，包括位于衬底上的第一电极、围绕第一电极的加热电极、围绕加热电极的相变层、和围绕相变层的第二电极，由于相变层包裹加热电极，相变时散热小，具有更高的能量转换率，可以减小能耗。而且加热电极接地，在相变层与加热电极发生体积分离时可以导通辅加热路线，进而可以增加操作的可靠性、以及器件性能的稳定性。

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