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专利状态
半导体器件结构及其制备方法
有效
专利申请进度
申请
2020-04-22
申请公布
2020-07-17
授权
2023-08-08
预估到期
2040-04-22
专利基础信息
申请号
CN202010321902.0
申请日
2020-04-22
申请公布号
CN111430364A
申请公布日
2020-07-17
授权公布号
CN111430364B
授权公告日
2023-08-08
分类号
H10B43/27;H10B43/30;H01L21/02;H01L21/32
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-08-08
授权
状态信息
授权
2020-08-11
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/11578;申请日:20200422
2020-07-17
公布
状态信息
公布
摘要
本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法,制备包括:提供半导体结构,包括若干个器件沟道孔、虚拟沟道孔及第一底部外延层,虚拟沟道孔的特征尺寸大于器件沟道孔的特征尺寸,器件沟道孔的内壁上形成有第一功能层,虚拟沟道孔的内壁上形成有第二功能层;形成掩膜层;填充介质阻挡层;去除掩膜层及器件沟道孔底部的第一功能层以显露第一底部外延层。本发明在虚拟沟道孔中填充介质阻挡层进行保护,可以防止在器件沟道孔进行第一功能层底部打开时对虚拟沟道孔中的结构造成损害,如防止对第二底部外延层在上述过程中进行刻穿,还可以防止对虚拟沟道孔的内部连接处造成破坏,从而有利于防止上述情况所造成的器件的漏电,有利于提高器件性能。
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