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专利状态
用于多管芯操作的动态峰值功率管理
有效
专利申请进度
申请
2020-11-26
申请公布
2021-03-30
授权
2023-12-19
预估到期
2040-11-26
专利基础信息
申请号
CN202080003887.3
申请日
2020-11-26
申请公布号
CN112585681A
申请公布日
2021-03-30
授权公布号
CN112585681B
授权公告日
2023-12-19
分类号
G11C16/06;G11C5/14
分类
信息存储;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-12-19
授权
状态信息
授权
2021-04-16
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):G11C16/06;申请日:20201126
2021-03-30
公布
状态信息
公布
摘要
提供了一种用于具有多个存储器管芯的存储器芯片的峰值功率管理(PPM)的方法,其中,该多个存储器管芯中的每个存储器管芯包括具有PPM触点焊盘的PPM电路,并且该多个存储器管芯的PPM触点焊盘电连接。该PPM方法包括以下步骤:接通存储器芯片的选定存储器管芯上的PPM电路的下拉驱动器;验证PPM使能信号,该PPM使能信号由流过下拉驱动器的下拉电流进行调节;以及当PPM使能信号指示存储器芯片的总电流小于存储器芯片所允许的最大总电流时,在选定存储器管芯上执行峰值功率操作。
更多专利
1
三维存储器的制作方法及三维存储器
2
存储器器件及其制造方法
3
一种三维存储器结构及其制作方法和三维存储器件
4
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5
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6
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3D存储器件及其制造方法
8
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9
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10
3D存储器件及其制造方法
11
3DNAND存储器件及3DNAND存储器件的制造方法
12
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13
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14
键合界面缺陷检测方法及装置
15
三维存储器及其制备方法
16
用于增大半导体器件中的多晶硅晶粒尺寸的阶梯式退火工艺
17
3D存储器件及其制造方法
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光刻胶去除装置及方法
19
一种相变存储器件及其制造方法、操作方法
20
具有处理器和异构存储器的一体化半导体器件及其形成方法
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