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专利状态
电路板和电子设备
有效
专利申请进度
申请
2023-08-02
授权
2024-03-26
预估到期
2033-08-02
专利基础信息
申请号
CN202322082541.0
申请日
2023-08-02
授权公布号
CN220673997U
授权公告日
2024-03-26
分类号
H05K1/02;H05K7/14
分类
其他类目不包含的电技术;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2024-03-26
授权
状态信息
授权
摘要
本申请公开了一种电路板和电子设备。该电路板包括:板体,包括沿第一方向依次设置的第一避让组和第二避让组,第二避让组相比第一避让组在第一方向上更靠近板体的边缘,第一避让组和第二避让组均包括两个沿第二方向分别位于板体两侧边缘的避让缺口,第二方向与第一方向相交;板体还包括分别与第二避让组的两个避让缺口对应的两个第二安装孔,两个第二安装孔中的至少一个第二安装孔位于对应避让缺口的靠近第一避让组的一侧。该电子设备包括:下壳体,具有容纳腔;上述电路板,位于容纳腔内,容纳腔的内壁设置有与避让缺口一一对应的安装凸台,安装凸台穿过对应的避让缺口凸出于板体;上壳体,盖设于板体的远离下壳体的一侧,并与安装凸台连接。
更多专利
1
3DNAND存储器件及3DNAND存储器件的制造方法
2
三维存储器件及其形成方法
3
三维存储器器件以及用于形成所述三维存储器器件的方法
4
半导体结构
5
三维存储器及其形成方法
6
3D存储器件及其制造方法
7
用于操作半导体器件的方法及半导体器件
8
存储结构、三维存储器及其制造方法
9
具有在三维存储器器件中的突出部分的沟道结构和用于形成其的方法
10
三维存储器及其制造方法
11
测试样品及其制备方法
12
新型3DNAND存储器件及形成其的方法
13
三维存储器及其制造方法
14
三维存储器件及用于形成其的方法
15
一种相变存储器件及其制造方法、操作方法
16
用于在半导体结构中形成阻挡层的方法
17
三维存储器结构及其制备方法
18
用于在三维存储器件中形成台阶的方法
19
一种3DNAND存储器件的制造方法
20
三维存储器设备的开口布局
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