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专利状态
三维存储器及其制备方法
有效
专利申请进度
申请
2020-11-04
申请公布
2021-03-09
授权
2023-09-05
预估到期
2040-11-04
专利基础信息
申请号
CN202011226470.1
申请日
2020-11-04
申请公布号
CN112466881A
申请公布日
2021-03-09
授权公布号
CN112466881B
授权公告日
2023-09-05
分类号
H10B43/10;H10B43/35;H10B43/40;H10B43/27
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-09-05
授权
状态信息
授权
2021-03-26
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/11565;申请日:20201104
2021-03-09
公布
状态信息
公布
摘要
本发明提供一种三维存储器及其制备方法,该三维存储器包括外围电路芯片,包括半导体衬底以及依次形成于半导体衬底上的外围电路及互连层,在外围电路芯片的边缘区域形成有显露出半导体衬底的沟槽;依次设置于沟槽及外围电路及互连层上的底部半导体层、中间半导体层及顶部半导体层,中间半导体层由设置于内部区域的中间层主体部和设置于第一沟槽内的中间层连接部组成;在该沟槽内,底部半导体层、中间半导体层及顶部半导体层与半导体衬底电连接。通过在外围电路芯片边缘区域形成沟槽,并利用该沟槽将底部半导体层、半导体牺牲层及顶部半导体层与半导体衬底电连接,可以将阵列蚀刻过程中产生的带电等离子体通过半导体衬底导走。
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