三维存储器及其制作方法_专利查询-品牌网

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专利状态

三维存储器及其制作方法

有效

专利申请进度

申请

2021-08-10

申请公布

2021-11-02

授权

2023-12-05

预估到期

2041-08-10

专利基础信息

申请号	CN202110914473.2	申请日	2021-08-10
申请公布号	CN113594174A	申请公布日	2021-11-02
授权公布号	CN113594174B	授权公告日	2023-12-05
分类号	H10B43/27;H10B43/35
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-12-05

授权

状态信息

授权
2021-11-19

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/11582；申请日:20210810
2021-11-02

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种三维存储器及其制作方法，三维存储器包括：衬底；位于衬底上的堆叠结构，堆叠结构包括多个块区域；设于两个相邻块区域之间且垂直贯穿堆叠结构的第一分隔结构和第二分隔结构；第一分隔结构包括沿第一横向延伸的第一延伸部以及与第一延伸部连接的第一侧端部；第一侧端部包括至少一个连接部，连接部的一端连接于第一延伸部，另一端向远离第一延伸部且不平行于第一横向的方向延伸；第二分隔结构包括沿第一横向延伸的第二延伸部以及与第二延伸部连接的第二侧端部；第二侧端部与第一侧端部相对设置，至少一个连接部在衬底上的正投影与第二侧端部在衬底上的正投影重叠，从而避免两个分隔结构底部分开不连接，而导致底层栅极短路的问题。

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