三维存储器及其制备方法_专利查询-品牌网

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专利状态

三维存储器及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2021-09-07

申请公布

2021-12-10

授权

2023-12-26

预估到期

2041-09-07

专利基础信息

申请号	CN202111041776.4	申请日	2021-09-07
申请公布号	CN113782538A	申请公布日	2021-12-10
授权公布号	CN113782538B	授权公告日	2023-12-26
分类号	H10B41/41;H10B41/42;H10N97/00;H10B80/00
分类
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-12-26

授权

状态信息

授权
2021-12-10

公布

状态信息

公布

摘要

本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。该三维存储器包括：第一半导体结构，包括：沿第一方向分布的第一外围电路和多个存储串结构；第二半导体结构，包括：第二衬底和位于第二衬底上的第二外围电路；其中，第一半导体结构和第二半导体结构键合连接，以使多个存储串结构和/或第一外围电路与第二外围电路电连接。本申请提供的三维存储器及其制备方法能够优化外围电路和多个存储串结构的布置形式，并优化外围电路和多个存储串结构的电信号传输性能。

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