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专利状态
3DNAND存储器件的结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2018-10-26
申请公布
2020-11-27
授权
2023-08-04
预估到期
2038-10-26
专利基础信息
申请号 CN202010919497.2 申请日 2018-10-26
申请公布号 CN112002696A 申请公布日 2020-11-27
授权公布号 CN112002696B 授权公告日 2023-08-04
分类号 H10B43/35;H10B43/27;H01L21/02;H01L21/28;H01L21/311
分类 基本电气元件;
申请人名称 长江存储科技有限责任公司
申请人地址 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
  • 2023-08-04
    授权
    状态信息
    授权
  • 2020-12-15
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/1157;申请日:20181026
  • 2020-11-27
    公布
    状态信息
    公布
摘要
提供了一种3D NAND存储器件的结构和制造方法,所述3D NAND存储器件的结构包括:衬底;所述衬底上的第一堆叠层;所述第一堆叠层上的第二堆叠层;所述第一堆叠层与所述第二堆叠层之间的阻隔层;以及延伸穿过所述第一堆叠层、所述阻隔层和所述第二堆叠层的沟道结构,其中,所述沟道结构包括功能层和由所述功能层围绕的沟道层。