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专利状态
3DNAND存储器件的结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2018-10-26
申请公布
2020-11-27
授权
2023-08-04
预估到期
2038-10-26
专利基础信息
申请号
CN202010919497.2
申请日
2018-10-26
申请公布号
CN112002696A
申请公布日
2020-11-27
授权公布号
CN112002696B
授权公告日
2023-08-04
分类号
H10B43/35;H10B43/27;H01L21/02;H01L21/28;H01L21/311
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-08-04
授权
状态信息
授权
2020-12-15
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/1157;申请日:20181026
2020-11-27
公布
状态信息
公布
摘要
提供了一种3D NAND存储器件的结构和制造方法,所述3D NAND存储器件的结构包括:衬底;所述衬底上的第一堆叠层;所述第一堆叠层上的第二堆叠层;所述第一堆叠层与所述第二堆叠层之间的阻隔层;以及延伸穿过所述第一堆叠层、所述阻隔层和所述第二堆叠层的沟道结构,其中,所述沟道结构包括功能层和由所述功能层围绕的沟道层。
更多专利
1
一种三维存储器结构及其制作方法和三维存储器件
2
半导体结构和半导体结构的台阶高度的确定方法
3
3D存储器件及其制造方法
4
新型3DNAND存储器件及形成其的方法
5
三维存储器及其制造方法
6
用于三维存储器的叠层结构、三维存储器及其制备方法
7
具有标记结构的三维存储器、其制备方法及位移监测方法
8
三维存储器的制作方法
9
三维存储器及其制备方法
10
晶圆翘曲度测量装置及方法
11
半导体结构及其制备方法
12
一种显影洗边设备和显影洗边方法
13
半导体工艺以及半导体结构
14
三维存储器结构及其制备方法
15
竖直存储器件
16
3D存储器件及其制造方法
17
半导体器件结构及其制备方法
18
光刻胶去除装置及方法
19
存储阵列的缺陷定位方法、装置、设备及可读存储介质
20
厚度测量方法及装置
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