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专利状态
改善晶圆的关键尺寸均匀性的方法与装置
有效
专利申请进度
申请
2021-11-29
申请公布
2022-03-29
授权
2023-07-07
预估到期
2041-11-29
专利基础信息
申请号
CN202111439285.5
申请日
2021-11-29
申请公布号
CN114253088A
申请公布日
2022-03-29
授权公布号
CN114253088B
授权公告日
2023-07-07
分类号
G03F7/20
分类
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术〔4〕;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-07-07
授权
状态信息
授权
2022-04-15
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):G03F7/20;申请日:20211129
2022-03-29
公布
状态信息
公布
摘要
本申请提供了一种改善晶圆的关键尺寸均匀性的方法与装置。该方法包括:获取涂覆后烘干工艺中的晶圆表面的第一温度分布;根据第一温度分布预测曝光后烘干工艺中的第二温度分布,涂覆后烘干工艺中采用的烘干设备与曝光后烘干工艺中采用的烘干设备是采用同样的工艺制成;根据第二温度分布对曝光工艺中的曝光能量进行补偿,并采用补偿后的曝光能量对晶圆进行曝光,以改善晶圆的关键尺寸均匀性。由于涂覆后烘干工艺中采用的烘干设备与曝光后烘干工艺中采用的烘干设备是采用同样的工艺制成,使得可以采用第一温度分布预测第二温度分布,进而根据第二温度分布对曝光工艺中的曝光能量进行补偿,使得改善了晶圆的关键尺寸均匀性。
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