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专利状态

一种半导体器件

有效

专利申请进度

申请

2018-08-31

申请公布

2018-11-27

授权

2024-01-23

预估到期

2038-08-31

专利基础信息

申请号	CN201811014617.3	申请日	2018-08-31
申请公布号	CN108899323A	申请公布日	2018-11-27
授权公布号	CN108899323B	授权公告日	2024-01-23
分类号	H10B43/35;H10B43/20
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

专利法律状态

2024-01-23

授权

状态信息

授权
2018-12-21

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/1157；申请日:20180831
2018-11-27

公布

状态信息

公布

摘要

本申请公开了一种半导体器件，该半导体器件中，其每个沟道孔内的第一掺杂类型材料层和第二掺杂类型材料层作为对应存储串的各个存储单元的源极和漏极，同一存储串内的各个存储单元均可以通过源极和漏极实现电路通路，因而，通过同一沟道孔内的源极和漏极能够将同一存储串内的各个存储单元形成并联结构。如此，在每个存储单元的栅极上施加较小的控制电压即可实现对存储单元的选通，而且，因同一存储串内的各个存储单元为并联结构。因而，该存储器的结构有利于降低存储器中的读取干扰、传输干扰和编辑干扰。此外，漏极与源极形成的PN结与电荷隧穿层可以零距离接触，从而减小了穿过PN结处的遂穿电流的衰减，进而提高了半导体器件的各种操作速率。

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