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专利状态
多堆叠三维存储器件以及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2019-04-09
申请公布
2021-03-30
授权
2024-02-27
预估到期
2039-04-09
专利基础信息
申请号 CN202011625482.1 申请日 2019-04-09
申请公布号 CN112582426A 申请公布日 2021-03-30
授权公布号 CN112582426B 授权公告日 2024-02-27
分类号 H10B43/20;H10B43/30;H10B41/20;H10B41/30
分类 基本电气元件;
申请人名称 长江存储科技有限责任公司
申请人地址 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
  • 2024-02-27
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-04-16
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/11578;申请日:20190409
  • 2021-03-30
    公布
    状态信息
    公布
摘要
公开了三维(3D)存储器件以及用于形成3D存储器件的方法。在第一衬底上方形成包括交错的牺牲层和电介质层的存储器堆叠体。形成垂直地延伸通过所述存储器堆叠体的沟道结构。在第二衬底中形成单晶硅层。在所述第二衬底上方的所述单晶硅层上形成包括位线的互连层。所述单晶硅层以及在其上形成的所述互连层被从所述第二衬底转移到所述第一衬底上方的所述存储器堆叠体上,使得所述互连层中的所述位线被电连接到所述沟道结构。