3D存储器件及其制造方法_专利查询-品牌网

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专利状态

3D存储器件及其制造方法

有效

专利申请进度

申请

2020-01-15

申请公布

2020-05-29

授权

2023-12-01

预估到期

2040-01-15

专利基础信息

申请号	CN202010040592.5	申请日	2020-01-15
申请公布号	CN111211128A	申请公布日	2020-05-29
授权公布号	CN111211128B	授权公告日	2023-12-01
分类号	H10B41/35;H10B41/20;H10B43/35;H10B43/20
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-12-01

授权

状态信息

授权
2020-06-23

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/11524；申请日:20200115
2020-05-29

公布

状态信息

公布

摘要

公开了一种3D存储器件及其制造方法。器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底之上的叠层结构；贯穿所述叠层结构的多个沟道柱和多个假沟道柱；以及多个第一外延结构和多个第二外延结构，其中，所述多个栅极导体包括设置在所述多个沟道柱和所述半导体衬底之间的底部选择栅极，所述多个第一外延结构贯穿所述底部选择栅极且所述多个第二外延结构未贯穿所述底部选择栅极。本申请的3D存储器件，第二区域去除了底部选择栅极，避免了假沟道柱与底部选择栅极之间的漏电情况，并且衬底的第一区域低于第二区域，因此在形成假沟道孔时不容易出现蚀刻不到位的情况，提高了器件的良率和可靠性。

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