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专利状态
一种半导体器件的制备方法
有效
专利申请进度
申请
2020-03-18
申请公布
2020-07-03
授权
2023-07-28
预估到期
2040-03-18
专利基础信息
申请号
CN202010190728.0
申请日
2020-03-18
申请公布号
CN111370371A
申请公布日
2020-07-03
授权公布号
CN111370371B
授权公告日
2023-07-28
分类号
H01L21/8234;H10B41/40;H10B41/20;H10B43/40;H10B43/20
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-07-28
授权
状态信息
授权
2020-07-28
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/8234;申请日:20200318
2020-07-03
公布
状态信息
公布
摘要
本发明实施例公开了一种半导体器件的制备方法,包括:提供半导体结构:衬底,形成在衬底第一区域上的第一介质层,部分覆盖第一介质层的第一栅极结构,形成在衬底第二区域上的第二介质层,部分覆盖第二介质层的第二栅极结构;第一介质层具有第一厚度,第二介质层具有第二厚度,第一厚度大于第二厚度;执行第一刻蚀工艺,分别在未被第一栅极结构覆盖的位置处和未被第二栅极结构覆盖的位置处刻蚀第一介质层和第二介质层,以使第一介质层和第二介质层有第一预定厚度被去除,第一预定厚度小于等于第二厚度;在第二区域上形成光刻胶层;执行第二刻蚀工艺,在未被第一栅极结构覆盖的位置处刻蚀第一介质层,以使第一介质层有第二预定厚度被去除。
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