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专利状态
三维存储器器件以及用于形成所述三维存储器器件的方法
有效
专利申请进度
申请
2021-08-31
申请公布
2022-01-11
授权
2023-08-18
预估到期
2041-08-31
专利基础信息
申请号 CN202180003163.3 申请日 2021-08-31
申请公布号 CN113924647A 申请公布日 2022-01-11
授权公布号 CN113924647B 授权公告日 2023-08-18
分类号 H10B43/35;H10B43/40;H10B43/50;H10B43/27
分类 基本电气元件;
申请人名称 长江存储科技有限责任公司
申请人地址 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
  • 2023-08-18
    授权
    状态信息
    授权
  • 2022-01-28
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/1157;申请日:20210831
  • 2022-01-11
    公布
    状态信息
    公布
摘要
一种三维(3D)存储器器件包括第一堆叠体结构、第一沟道结构、第二堆叠体结构和第二沟道结构。所述第一堆叠体结构包括交错的第一导电层和第一电介质层。所述第一沟道结构沿第一方向延伸穿过所述第一堆叠体结构。所述第一沟道结构包括第一半导体沟道和所述第一半导体沟道上方的第一存储器膜。所述第一存储器膜包括存储层。所述存储层被所述第一电介质层分隔成多个部分。