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专利状态
三维存储器器件以及用于形成所述三维存储器器件的方法
有效
专利申请进度
申请
2021-08-31
申请公布
2022-01-11
授权
2023-08-18
预估到期
2041-08-31
专利基础信息
申请号
CN202180003163.3
申请日
2021-08-31
申请公布号
CN113924647A
申请公布日
2022-01-11
授权公布号
CN113924647B
授权公告日
2023-08-18
分类号
H10B43/35;H10B43/40;H10B43/50;H10B43/27
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-08-18
授权
状态信息
授权
2022-01-28
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/1157;申请日:20210831
2022-01-11
公布
状态信息
公布
摘要
一种三维(3D)存储器器件包括第一堆叠体结构、第一沟道结构、第二堆叠体结构和第二沟道结构。所述第一堆叠体结构包括交错的第一导电层和第一电介质层。所述第一沟道结构沿第一方向延伸穿过所述第一堆叠体结构。所述第一沟道结构包括第一半导体沟道和所述第一半导体沟道上方的第一存储器膜。所述第一存储器膜包括存储层。所述存储层被所述第一电介质层分隔成多个部分。
更多专利
1
一种晶相结构的判断方法及晶相标定模板
2
一种半导体器件的制备方法
3
三维存储器及其形成方法
4
三维存储器及制备三维存储器的方法
5
三维存储器
6
一种三维存储器及其制作方法
7
用于在半导体结构中形成阻挡层的方法
8
三维存储器件及用于形成其的方法
9
一种显影洗边设备和显影洗边方法
10
一种三维存储器的制作方法及三维存储器
11
半导体工艺以及半导体结构
12
三维存储装置及其形成方法
13
三维存储器及其制备方法
14
3D存储器件及其制造方法
15
半导体器件的制造方法
16
半导体结构和半导体结构的台阶高度的确定方法
17
键合界面缺陷检测方法及装置
18
三维存储器及其制备方法
19
具有划分的漏极选择栅极线的三维存储器器件及其形成方法
20
3D存储器件及其制造方法
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