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专利状态
一种三维存储器结构及其制作方法和三维存储器件
有效
专利申请进度
申请
2020-08-11
申请公布
2020-12-08
授权
2023-11-07
预估到期
2040-08-11
专利基础信息
申请号 CN202010801515.7 申请日 2020-08-11
申请公布号 CN112054028A 申请公布日 2020-12-08
授权公布号 CN112054028B 授权公告日 2023-11-07
分类号 H10B41/10;H10B41/35;H10B41/41;H10B41/20;H10B43/10;H10B43/35;H10B43/40;H10B43/20
分类 基本电气元件;
申请人名称 长江存储科技有限责任公司
申请人地址 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
  • 2023-11-07
    授权
    状态信息
    授权
  • 2020-12-25
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/11519;申请日:20200811
  • 2020-12-08
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明提供一种三维存储器结构所述三维存储器结构包括衬底;堆叠结构,形成于所述衬底上,所述堆叠结构具有沿第一方向依次设置的第一分区和第二分区;其中,所述第一分区包括沿第二方向依次设置第一核心阵列区域和第一台阶区域,且所述第一台阶区域位于所述第一分区的边缘,所述第二分区包括沿所述第一方向依次设置的第二核心阵列区域和第二台阶区域,且所述第二台阶区域位于所述第二分区的边缘,所述第一方向与所述第二方向相交。利用本发明,不仅可以平衡三维存储器中栅极隔槽蚀刻后的应力,而且可以平衡随着三维存储器的栅极叠层结构层数增加之后的应力,使应力分布更均匀,从而改善三维存储器结构的稳定性。