半导体结构及其制备方法_专利查询-品牌网

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专利状态

半导体结构及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2020-06-02

申请公布

2021-11-12

授权

2023-12-15

预估到期

2040-06-02

专利基础信息

申请号	CN202110876449.4	申请日	2020-06-02
申请公布号	CN113644076A	申请公布日	2021-11-12
授权公布号	CN113644076B	授权公告日	2023-12-15
分类号	H10B43/30;H10B43/27
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-12-15

授权

状态信息

授权
2021-11-30

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/11568；申请日:20200602
2021-11-12

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种半导体结构及其制备方法，制备方法包括：提供第一半导体衬底，形成接触牺牲层及栅极底层，形成沟道结构，形成栅极隔槽及具有底部开口的隔槽间隔层，去除接触牺牲层及功能结构层显露沟道层，形成掺杂半导体层。本发明的半导体结构及其制备方法，基于栅极隔槽去除接触牺牲层形成层间间隙，并基于层间间隙去除功能结构层以显露底部外延层，再沉积形成掺杂半导体层，同时实现了底部外延层的电性引出，降低了核心区的面积，从而可以在栅极隔槽中填充绝缘材料形成绝缘填充层，解决了在栅极隔槽中填充金属导电材料所导致的栅极字线与共源线之间的漏电问题，并解决二者之间形成寄生电容的问题。本发明还在器件结构制备中实现了焊盘的加倍。

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