用于三维存储器的叠层结构、三维存储器及其制备方法

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专利状态

用于三维存储器的叠层结构、三维存储器及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2019-06-28

申请公布

2021-01-29

授权

2024-02-23

预估到期

2039-06-28

专利基础信息

申请号	CN202011090267.6	申请日	2019-06-28
申请公布号	CN112289801A	申请公布日	2021-01-29
授权公布号	CN112289801B	授权公告日	2024-02-23
分类号	H10B43/30;H10B43/27
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2024-02-23

授权

状态信息

授权
2021-02-23

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/11568；申请日:20190628
2021-01-29

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种用于三维存储器的叠层结构、三维存储器及其制备方法，叠层结构包括上下交替叠置的牺牲层及栅间介质层；叠层结构内形成有沿叠层结构的厚度方向贯穿叠层结构的沟道通孔，沿叠层结构的厚度方向，沟道通孔各部分的宽度不尽相同；牺牲层的厚度与沟道通孔的宽度成正比且栅间介质层的厚度与沟道通孔的宽度成反比。本发明的用于三维存储器的叠层结构可以弥补在叠层结构中形成的沟道通孔宽度不一致及沟道通孔形貌较差而带来的影响；基于本发明的三维存储器的叠层结构形成的三维存储器中，所有的存储单元编程/擦除速度一致，擦除态耦合效应较好，所有存储单元的性能具有较好的均一性，三维存储器的阈值电压较窄，三维存储器的性能稳定性好。

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