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专利状态

竖直存储器件

有效

专利申请进度

申请

2019-08-23

申请公布

2021-04-16

授权

2023-12-08

预估到期

2039-08-23

专利基础信息

申请号	CN202011535848.6	申请日	2019-08-23
申请公布号	CN112670289A	申请公布日	2021-04-16
授权公布号	CN112670289B	授权公告日	2023-12-08
分类号	H10B41/35;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-12-08

授权

状态信息

授权
2021-05-04

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/11524；申请日:20190823
2021-04-16

公布

状态信息

公布

摘要

本公开内容的各方面提供了一种半导体器件。该半导体器件包括沿垂直于半导体器件的衬底的方向交替地堆叠并且在衬底上方形成堆叠体的栅极层和绝缘层。该半导体器件包括形成于堆叠体的阵列区中的沟道结构的阵列。此外，该半导体器件包括：由衬底上方的连接区中的堆叠体的第一区段形成的第一阶梯，以及由衬底上方的连接区中的堆叠体的第二区段形成的第二阶梯。此外，该半导体器件包括由堆叠体的第一区段形成并且设置在连接区中的第一阶梯和第二阶梯之间的虚设阶梯。

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