• 热门行业
  • 装修建材
  • 家居生活
  • 餐饮食品
  • 母婴教育
  • 电脑办公
  • 服装首饰
  • 汽车工具
  • 家电数码
  • 机械化工
  • 休闲美容
返回上一页
专利状态
新型3DNAND存储器件及形成其的方法
有效
专利申请进度
申请
2019-06-27
申请公布
2021-03-16
授权
2023-09-12
预估到期
2039-06-27
专利基础信息
申请号 CN202011459262.6 申请日 2019-06-27
申请公布号 CN112510052A 申请公布日 2021-03-16
授权公布号 CN112510052B 授权公告日 2023-09-12
分类号 H10B41/35;H10B41/41;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/40;H10B43/27;H01L23/48
分类 基本电气元件;
申请人名称 长江存储科技有限责任公司
申请人地址 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
  • 2023-09-12
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-04-02
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/11524;申请日:20190627
  • 2021-03-16
    公布
    状态信息
    公布
摘要
新型3D NAND存储器件及形成其的方法。提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括第一衬底,所述第一衬底具有用于形成存储单元的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧。所述半导体器件还包括掺杂区域和第一连接结构。所述掺杂区域形成在所述第一衬底的所述第一侧中并且电耦合到晶体管的至少源极端子(例如,串联连接的多个晶体管的末端晶体管的源极端子)。第一连接结构被形成在所述第一衬底的所述第二侧之上并且通过第一过孔耦合到所述掺杂区域。所述第一过孔从所述第一衬底的所述第二侧延伸到所述掺杂区域。