半导体结构和半导体结构的台阶高度的确定方法

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专利状态

半导体结构和半导体结构的台阶高度的确定方法

有效

专利申请进度

申请

2021-02-23

申请公布

2021-06-11

授权

2023-12-01

预估到期

2041-02-23

专利基础信息

申请号	CN202110202093.6	申请日	2021-02-23
申请公布号	CN112951806A	申请公布日	2021-06-11
授权公布号	CN112951806B	授权公告日	2023-12-01
分类号	H01L23/544;H01L21/66
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-12-01

授权

状态信息

授权
2021-07-02

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L23/544；申请日:20210223
2021-06-11

公布

状态信息

公布

摘要

本申请提供了一种半导体结构和半导体结构的台阶高度的确定方法，该半导体结构包括衬底、浅槽隔离区域、第一多晶硅层、第二多晶硅层和多个通孔结构，其中，浅槽隔离区域位于部分衬底上；第一多晶硅层包括连续的第一部分和第二部分，第一部分位于衬底上，第二部分位于浅槽隔离区域上；第二多晶硅层位于衬底上，第二多晶硅层与第一多晶硅层相同；至少一个第一多晶硅层上有两个通孔结构，两个通孔结构中的一个位于第一部分上，两个通孔结构中的另一个位于第二部分上，至少一个第二多晶硅层上有两个通孔结构，两个通孔结构在第二多晶硅层上的位置与两个通孔结构在第一多晶硅层上的位置相同。该半导体结构使得台阶高度的测试方法的成本较低。

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