三维存储器结构及其制备方法

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专利状态

三维存储器结构及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2020-12-24

申请公布

2021-04-16

授权

2023-10-27

预估到期

2040-12-24

专利基础信息

申请号	CN202011550126.8	申请日	2020-12-24
申请公布号	CN112670296A	申请公布日	2021-04-16
授权公布号	CN112670296B	授权公告日	2023-10-27
分类号	H10B43/10;H10B43/35;H10B43/40;H10B43/27
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-10-27

授权

状态信息

授权
2021-05-04

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/11565；申请日:20201224
2021-04-16

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种三维存储器结构及其制备方法，方法包括如下步骤：提供有第一区域和第二区域的半导体衬底，第一区域包括核心区，第二区域包括台阶区和外围区；在其上形成绝缘层和多层半导体层，半导体层通过介质层隔离；形成凹槽结构，在其侧壁形成电性连接结构；在凹槽结构中填充介质填充层；在半导体层和介质填充层上形成堆叠结构；在堆叠结构中形成沟道结构。本发明通过在台阶区和外围区形成凹槽结构，并形成电连接半导体衬底的电性连接结构，使等离子体加工工艺中产生的电荷能够从绝缘介质层上方导通至接地的半导体衬底，避免影响后续工艺，提升产品良率；凹槽结构中形成的介质填充层还能有效释放应力，并对上方堆叠结构提供支撑。

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