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专利状态
半导体工艺以及半导体结构
有效
专利申请进度
申请
2021-08-30
申请公布
2021-11-30
授权
2023-10-27
预估到期
2041-08-30
专利基础信息
申请号
CN202111007843.0
申请日
2021-08-30
申请公布号
CN113725223A
申请公布日
2021-11-30
授权公布号
CN113725223B
授权公告日
2023-10-27
分类号
H10B41/35;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-10-27
授权
状态信息
授权
2021-12-17
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/11524;申请日:20210830
2021-11-30
公布
状态信息
公布
摘要
本申请提供了一种半导体工艺以及半导体结构,该半导体工艺包括:提供基底,基底包括衬底和位于衬底上的层叠结构,层叠结构包括交替设置的牺牲层和绝缘介质层;至少在层叠结构的裸露表面上形成图形化掩膜层,图形化掩膜层由多个相同的沟道孔图案构成,任意相邻的沟道孔图案之间的距离相同;以图形化掩膜层为掩膜,刻蚀层叠结构,形成多个沟道孔;去除图形化掩膜层。该半导体工艺保证了形成的多个沟道孔的关键尺寸相同,且相邻的沟道孔之间的间距相同,保证了各沟道孔的均一性,避免了现有技术中3D NAND制作过程中,刻蚀得到的沟道孔的一致性较差的问题。
更多专利
1
透射电镜试样及其制备方法、待测结构的失效分析方法
2
三维存储器及其制造方法
3
三维存储器及其制造方法
4
存储器结构
5
三维存储器及其制备方法
6
3D存储器件及其制造方法
7
新型3DNAND存储器件及形成其的方法
8
三维存储器
9
叠加式主板固定装置以及主机组件
10
半导体结构及其制备方法
11
3D存储器件的制造方法及3D存储器件
12
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13
用于裸片对裸片进行键合的方法和结构
14
三维存储器及其制造方法
15
三维存储器器件以及其制作方法
16
半导体器件结构及其制备方法
17
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18
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19
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20
3D存储器件及其制造方法
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