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专利状态
半导体工艺以及半导体结构
有效
专利申请进度
申请
2021-08-30
申请公布
2021-11-30
授权
2023-10-27
预估到期
2041-08-30
专利基础信息
申请号 CN202111007843.0 申请日 2021-08-30
申请公布号 CN113725223A 申请公布日 2021-11-30
授权公布号 CN113725223B 授权公告日 2023-10-27
分类号 H10B41/35;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27
分类 基本电气元件;
申请人名称 长江存储科技有限责任公司
申请人地址 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
  • 2023-10-27
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-12-17
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/11524;申请日:20210830
  • 2021-11-30
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本申请提供了一种半导体工艺以及半导体结构,该半导体工艺包括:提供基底,基底包括衬底和位于衬底上的层叠结构,层叠结构包括交替设置的牺牲层和绝缘介质层;至少在层叠结构的裸露表面上形成图形化掩膜层,图形化掩膜层由多个相同的沟道孔图案构成,任意相邻的沟道孔图案之间的距离相同;以图形化掩膜层为掩膜,刻蚀层叠结构,形成多个沟道孔;去除图形化掩膜层。该半导体工艺保证了形成的多个沟道孔的关键尺寸相同,且相邻的沟道孔之间的间距相同,保证了各沟道孔的均一性,避免了现有技术中3D NAND制作过程中,刻蚀得到的沟道孔的一致性较差的问题。