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专利状态
半导体工艺以及半导体结构
有效
专利申请进度
申请
2021-08-30
申请公布
2021-11-30
授权
2023-10-27
预估到期
2041-08-30
专利基础信息
申请号
CN202111007843.0
申请日
2021-08-30
申请公布号
CN113725223A
申请公布日
2021-11-30
授权公布号
CN113725223B
授权公告日
2023-10-27
分类号
H10B41/35;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-10-27
授权
状态信息
授权
2021-12-17
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/11524;申请日:20210830
2021-11-30
公布
状态信息
公布
摘要
本申请提供了一种半导体工艺以及半导体结构,该半导体工艺包括:提供基底,基底包括衬底和位于衬底上的层叠结构,层叠结构包括交替设置的牺牲层和绝缘介质层;至少在层叠结构的裸露表面上形成图形化掩膜层,图形化掩膜层由多个相同的沟道孔图案构成,任意相邻的沟道孔图案之间的距离相同;以图形化掩膜层为掩膜,刻蚀层叠结构,形成多个沟道孔;去除图形化掩膜层。该半导体工艺保证了形成的多个沟道孔的关键尺寸相同,且相邻的沟道孔之间的间距相同,保证了各沟道孔的均一性,避免了现有技术中3D NAND制作过程中,刻蚀得到的沟道孔的一致性较差的问题。
更多专利
1
一种三维存储器的制作方法及三维存储器
2
沟道孔的制作方法、存储器、其制作方法及存储系统
3
三维存储器及其制作方法
4
一种三维存储器结构及其制作方法和三维存储器件
5
用于NAND存储器操作的架构和方法
6
3D存储器件及其制造方法
7
一种气体处理炉和提高晶圆表面气体处理均匀性的方法
8
具有外延生长的半导体沟道的三维存储器件及其形成方法
9
用于存储器系统的功率管理
10
三维存储器及制备三维存储器的方法
11
用于对闪存模块直接访问的方法和系统
12
用于增大半导体器件中的多晶硅晶粒尺寸的阶梯式退火工艺
13
具有在三维存储器器件中的突出部分的沟道结构和用于形成其的方法
14
检测件与芯片的检测方法
15
一种半导体器件
16
晶圆翘曲度测量装置及方法
17
一种三维存储器及其制作方法
18
三维存储器的制作方法及三维存储器
19
半导体结构及其形成方法
20
三维存储器件及其制作方法
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