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专利状态
具有标记结构的三维存储器、其制备方法及位移监测方法
有效
专利申请进度
申请
2021-02-19
申请公布
2021-06-11
授权
2023-08-08
预估到期
2041-02-19
专利基础信息
申请号 CN202110188791.5 申请日 2021-02-19
申请公布号 CN112951805A 申请公布日 2021-06-11
授权公布号 CN112951805B 授权公告日 2023-08-08
分类号 H01L23/544;H10B41/35;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27;H01L21/66;G01B21/02
分类 基本电气元件;
申请人名称 长江存储科技有限责任公司
申请人地址 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
  • 2023-08-08
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-07-02
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L23/544;申请日:20210219
  • 2021-06-11
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明提供一种具有标记结构的三维存储器、其制备方法以及利用所述标记结构监测台阶位移的方法。所述三维存储器包括衬底、位于衬底上的第一堆叠结构以及位于第一堆叠结构上的第二堆叠结构;三维存储器设有接触区以及邻接接触区的台阶区;接触区内设有贯穿第一堆叠结构的第一存储沟道和贯穿第二堆叠结构的第二存储沟道,第二存储沟道与第一存储沟道连接;在台阶区内的第一堆叠结构与第二堆叠结构之间设有伪堆叠结构,在伪堆叠结构中设有标记结构。本发明中的标记结构制作在伪堆叠结构中,不会因后续工艺发生位置漂移,标记结构与粘结层的制作可以同时进行,不用额外增加制程,缩短了器件制造的生产周期。