三维存储器件及其制作方法

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专利状态

三维存储器件及其制作方法

有效

专利申请进度

申请

2020-04-30

申请公布

2021-11-12

授权

2023-09-26

预估到期

2040-04-30

专利基础信息

申请号	CN202110800955.5	申请日	2020-04-30
申请公布号	CN113644077A	申请公布日	2021-11-12
授权公布号	CN113644077B	授权公告日	2023-09-26
分类号	H10B43/35;H10B43/27;H10B43/20
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-09-26

授权

状态信息

授权
2021-11-30

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/1157；申请日:20200430
2021-11-12

公布

状态信息

公布

摘要

提供了三维（3D）NAND存储器件和方法。在一个方面，一种3D NAND存储器件包括：衬底、处于衬底之上的层堆叠体、第一外延层、第二外延层、第一阵列公共源极（ACS）和第二ACS。层堆叠体包括交替堆叠设置的第一堆叠层和第二堆叠层。第一外延层被沉积在穿过层堆叠体延伸的沟道层的侧面部分上。第二外延层被沉积在衬底上。第一ACS以及层堆叠体的部分处于第二ACS之间。

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