三维存储器及其制备方法、及电子设备

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专利状态

三维存储器及其制备方法、及电子设备

有效

专利申请进度

申请

2019-10-14

申请公布

2020-02-21

授权

2023-08-18

预估到期

2039-10-14

专利基础信息

申请号	CN201910973298.7	申请日	2019-10-14
申请公布号	CN110828472A	申请公布日	2020-02-21
授权公布号	CN110828472B	授权公告日	2023-08-18
分类号	H10B43/20
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

专利法律状态

2023-08-18

授权

状态信息

授权
2020-03-17

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/11578；申请日:20191014
2020-02-21

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种三维存储器及其制备方法、及电子设备。三维存储器包括：存储结构；第一非存储结构；第二非存储结构；所述存储结构包括沿第一方向的第一边缘，所述第一非存储结构包围所述第一边缘，所述存储结构还包括沿第二方向的第二边缘，所述第二边缘与所述第一边缘相连接，所述第二非存储结构包围所述第二边缘。本发明解决了由于边缘的沟道孔内形成的外延结构较薄，甚至容易缺失，从而影响三维存储器的电性能，如读写、编程或者擦除等性能的技术问题。

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