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专利状态
用于增大半导体器件中的多晶硅晶粒尺寸的阶梯式退火工艺
有效
专利申请进度
申请
2021-03-29
申请公布
2021-08-06
授权
2023-12-05
预估到期
2041-03-29
专利基础信息
申请号
CN202180001192.6
申请日
2021-03-29
申请公布号
CN113228282A
申请公布日
2021-08-06
授权公布号
CN113228282B
授权公告日
2023-12-05
分类号
H10B43/27;H01L21/324;H01L21/02;H01L21/67;H10B43/35
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-12-05
授权
状态信息
授权
2021-08-24
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/11582;申请日:20210329
2021-08-06
公布
状态信息
公布
摘要
公开了半导体制作方法和半导体器件。根据一些方面,一种存储器件包括在衬底上的具有交替的多个导电层和多个绝缘层的存储堆叠层、以及在存储堆叠层中垂直延伸的沟道结构。沟道结构包括在存储堆叠层中垂直延伸并且导电连接至源极结构的半导体沟道。该半导体沟道包括多晶硅,并且多晶硅的晶粒尺寸在100nm到600nm的范围内。
更多专利
1
套刻标记及其形成方法
2
3D存储器件及其制造方法
3
三维存储器及其制造方法
4
三维存储器及其制作方法
5
气泡缺陷监控方法、装置、服务器及可读存储介质
6
半导体结构
7
存储器的操作方法、存储器及存储系统
8
一种3DNAND存储器件的制造方法
9
三维存储器及其制作方法
10
三维存储装置及其制造方法
11
混合晶圆键合方法及其结构
12
半导体结构及其形成方法
13
3D存储器件及其制造方法
14
半导体结构的形成方法
15
三维存储器及其制造方法
16
电压降的确定方法、确定装置和计算机可读存储介质
17
3D存储器件及其制造方法
18
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19
三维存储器结构及其制备方法
20
用于在半导体结构中形成阻挡层的方法
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