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专利状态
用于增大半导体器件中的多晶硅晶粒尺寸的阶梯式退火工艺
有效
专利申请进度
申请
2021-03-29
申请公布
2021-08-06
授权
2023-12-05
预估到期
2041-03-29
专利基础信息
申请号 CN202180001192.6 申请日 2021-03-29
申请公布号 CN113228282A 申请公布日 2021-08-06
授权公布号 CN113228282B 授权公告日 2023-12-05
分类号 H10B43/27;H01L21/324;H01L21/02;H01L21/67;H10B43/35
分类 基本电气元件;
申请人名称 长江存储科技有限责任公司
申请人地址 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
  • 2023-12-05
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-08-24
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/11582;申请日:20210329
  • 2021-08-06
    公布
    状态信息
    公布
摘要
公开了半导体制作方法和半导体器件。根据一些方面,一种存储器件包括在衬底上的具有交替的多个导电层和多个绝缘层的存储堆叠层、以及在存储堆叠层中垂直延伸的沟道结构。沟道结构包括在存储堆叠层中垂直延伸并且导电连接至源极结构的半导体沟道。该半导体沟道包括多晶硅,并且多晶硅的晶粒尺寸在100nm到600nm的范围内。