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专利状态
一种膜层生长方法及设备
有效
专利申请进度
申请
2021-02-02
申请公布
2021-06-15
授权
2023-09-05
预估到期
2041-02-02
专利基础信息
申请号 CN202110142676.4 申请日 2021-02-02
申请公布号 CN112962085A 申请公布日 2021-06-15
授权公布号 CN112962085B 授权公告日 2023-09-05
分类号 C23C16/455;C23C16/34;C23C16/40;H10B43/27;H10B43/35
分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
申请人名称 长江存储科技有限责任公司
申请人地址 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
  • 2023-09-05
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-07-02
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):C23C16/455;申请日:20210202
  • 2021-06-15
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本申请实施例提供了一种膜层生长方法及设备,可以按照设定方式将反应气体通入反应腔,反应腔内放置有待处理衬底,设定方式可以包括,在第一阶段控制反应气体以第一气体分压通入反应腔内,在第二阶段控制反应气体以第二气体分压通入反应腔内以进行膜层生长,第二阶段在第一阶段之后,第一气体分压大于第二气体分压,这样,较高的第一气体分压,可以使更多的反应气体到达待处理衬底,即使待处理衬底具有凹陷结构,也可以使更多的反应气体到达凹陷结构的底部,提高凹陷结构底部的膜层质量,提高膜层的台阶覆盖率,同时膜层生长的第二阶段可以保证反应腔中合适的压强和合适的膜层生长速率,提高膜层质量。