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专利状态
具有富氢半导体沟道的三维存储器件
有效
专利申请进度
申请
2020-07-30
申请公布
2020-12-11
授权
2024-01-05
预估到期
2040-07-30
专利基础信息
申请号 CN202080001838.6 申请日 2020-07-30
申请公布号 CN112074956A 申请公布日 2020-12-11
授权公布号 CN112074956B 授权公告日 2024-01-05
分类号 H10B43/35;H10B43/27;H10B41/35;H10B41/27
分类 基本电气元件;
申请人名称 长江存储科技有限责任公司
申请人地址 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
  • 2024-01-05
    授权
    状态信息
    授权
  • 2020-12-29
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/1157;申请日:20200730
  • 2020-12-11
    公布
    状态信息
    公布
摘要
公开了3D存储器件及其形成方法的实施例。在示例中,3D存储器件包括存储堆叠层、半导体层、多个沟道结构和绝缘结构,存储堆叠层包括交错的堆叠导电层和堆叠电介质层,每个沟道结构垂直延伸穿过存储堆叠层到半导体层中,绝缘结构垂直延伸穿过存储堆叠层并且包括掺杂有氢或氢的同位素中的至少一种的电介质层。