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专利状态
具有富氢半导体沟道的三维存储器件
有效
专利申请进度
申请
2020-07-30
申请公布
2020-12-11
授权
2024-01-05
预估到期
2040-07-30
专利基础信息
申请号
CN202080001838.6
申请日
2020-07-30
申请公布号
CN112074956A
申请公布日
2020-12-11
授权公布号
CN112074956B
授权公告日
2024-01-05
分类号
H10B43/35;H10B43/27;H10B41/35;H10B41/27
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2024-01-05
授权
状态信息
授权
2020-12-29
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/1157;申请日:20200730
2020-12-11
公布
状态信息
公布
摘要
公开了3D存储器件及其形成方法的实施例。在示例中,3D存储器件包括存储堆叠层、半导体层、多个沟道结构和绝缘结构,存储堆叠层包括交错的堆叠导电层和堆叠电介质层,每个沟道结构垂直延伸穿过存储堆叠层到半导体层中,绝缘结构垂直延伸穿过存储堆叠层并且包括掺杂有氢或氢的同位素中的至少一种的电介质层。
更多专利
1
三维存储器及其制备方法
2
3D存储器件及其制造方法
3
一种三维存储器及其制作方法
4
叠加式主板固定装置以及主机组件
5
晶圆切割固定方法及其装置
6
三维存储器件及其形成方法
7
半导体器件的制造方法
8
三维存储装置及其制造方法
9
一种显影洗边设备和显影洗边方法
10
晶圆结构及其制备方法、三维存储器、电子设备
11
晶圆翘曲度测量装置及方法
12
三维存储器结构及其制备方法
13
半导体器件的量测方法
14
一种测试方法及装置
15
三维存储器及其制备方法
16
一种晶圆的清洗方法及实现其的装置
17
三维存储器器件以及用于形成所述三维存储器器件的方法
18
在存储块之间具有稳定结构的三维存储器件以及用于形成其的方法
19
三维存储器的制作方法
20
具有划分的漏极选择栅极线的三维存储器器件及其形成方法
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