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专利状态
晶边处理设备及待处理晶圆结构的处理方法
有效
专利申请进度
申请
2020-12-21
申请公布
2021-04-16
授权
2023-10-31
预估到期
2040-12-21
专利基础信息
申请号
CN202011520240.6
申请日
2020-12-21
申请公布号
CN112670207A
申请公布日
2021-04-16
授权公布号
CN112670207B
授权公告日
2023-10-31
分类号
H01L21/67;H01L21/311
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-10-31
授权
状态信息
授权
2021-05-04
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/67;申请日:20201221
2021-04-16
公布
状态信息
公布
摘要
本发明提供一种晶边处理设备及待处理晶圆结构的处理方法,晶边处理设备包括:基座、第一处理组件和第二处理组件,第一处理组件具有反应液喷口以向待处理晶圆结构提供反应液,第二处理组件位于第一处理组件下方,第一处理组件的下表面形成凹部,第二处理组件的上表面形成与凹部相配合的凸部,以使对待处理晶圆处理时反应液溅射朝向第二处理组件。本发明对处理设备进行了设计,在待处理晶圆基于反应液进行处理的工艺中,通过在第二处理组件上设置挡板实现反应液飞溅的遮挡,还可以通过第一处理组件有效防止设备沉积物对待处理晶圆的影响,可以延长工艺维护(PM)周期,减小工程师的过工作量,提高芯片质量。
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