用于校准粒子束的垂直度的方法以及应用于半导体制造工艺的系统

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专利状态

用于校准粒子束的垂直度的方法以及应用于半导体制造工艺的系统

有效

专利申请进度

申请

2019-10-30

申请公布

2021-09-07

授权

2023-11-03

预估到期

2039-10-30

专利基础信息

申请号	CN202110630508.X	申请日	2019-10-30
申请公布号	CN113363197A	申请公布日	2021-09-07
授权公布号	CN113363197B	授权公告日	2023-11-03
分类号	H01L21/68;H01L21/66
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-11-03

授权

状态信息

授权
2021-09-24

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/68；申请日:20191030
2021-09-07

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种用于校准粒子束的垂直度的方法。方法包括：提供具有第一传感器和第二传感器的基板；将粒子束从发射器发射至基板的第一传感器，使得在第一传感器接收到粒子束时，收集第一数据；将粒子束从发射器发射至基板的第二传感器，使得在第二传感器接收到粒子束时，收集第二数据；基于第一数据和第二数据来计算第一校准数据；以及如果第一校准数据处于第一预定范围外，则基于第一校准数据来调整基板或发射器。

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