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专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2019-10-30
申请公布
2020-01-07
授权
2023-10-27
预估到期
2039-10-30
专利基础信息
申请号
CN201911044053.2
申请日
2019-10-30
申请公布号
CN110660673A
申请公布日
2020-01-07
授权公布号
CN110660673B
授权公告日
2023-10-27
分类号
H01L21/336;H01L21/02;H01L29/78
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
专利法律状态
2023-10-27
授权
状态信息
授权
2020-02-04
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/336;申请日:20191030
2020-01-07
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,所述形成方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有晶体管,所述晶体管包括栅介质层、位于栅介质层上的栅电极、以及位于栅电极和栅介质层两侧的半导体衬底中的源区和漏区;形成覆盖所述晶体管的保护层,所述保护层至少包括富硅氮化硅层,所述富硅氮化硅层用于吸附和存储后段制作工艺中产生的等离子体电荷。由于所述保护层中包括富硅氮化硅层,所述富硅氮化硅层能吸附和存储后段制作工艺中产生的等离子体电荷,从而防止后段工艺过程中产生的等离子电荷对栅介质层带来的等离子体诱导损伤,从而保证栅介质层的性能,提高晶体管的性能,并且本发明的方法对于防止等离子体诱导损伤简单有效。
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