具有使用内插器的堆叠器件芯片的三维存储器件

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专利状态

具有使用内插器的堆叠器件芯片的三维存储器件

有效

专利申请进度

申请

2018-06-29

申请公布

2021-07-23

授权

2023-08-18

预估到期

2038-06-29

专利基础信息

申请号	CN202110040294.0	申请日	2018-06-29
申请公布号	CN113161366A	申请公布日	2021-07-23
授权公布号	CN113161366B	授权公告日	2023-08-18
分类号	H10B43/35;H10B43/40;H10B43/20
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-08-18

授权

状态信息

授权
2021-08-10

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/1157；申请日:20180629
2021-07-23

公布

状态信息

公布

摘要

公开了具有使用内插器的堆叠器件芯片的三维（3D）存储器件及其制造方法的实施例。在示例中，3D存储器件包括第一和第二器件芯片以及其间的内插器。第一器件芯片包括外围器件以及处于所述第一器件芯片的表面上并且电连接至所述外围器件的第一芯片触点。第二器件芯片包括交替导体/电介质堆叠层、竖直延伸通过所述交替导体/电介质堆叠层的存储器串、以及处于所述第二器件芯片的表面上并且电连接至所述存储器串的第二芯片触点。所述内插器包括内插器衬底以及处于所述内插器的相对表面上并且通过所述内插器衬底相互电连接的第一和第二内插器触点。第一和第二内插器触点分别附接至所述第一和第二芯片触点。

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